USDT线上交易(www.usdt8.vip):三星3nm工艺乐成流片 性能提高约30%

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芯研所:三星乐成流片了3nm GAA芯片,功耗降低了50%,性能提高了约30%,不外是否能量产照样有待考究。

全球现在量产的 最先进工艺是5nm,台积电明年就要量产3nm工艺,不外3nm节点他们依然选择FinFET晶体管手艺,三星则选择了GAA手艺,日前三星也乐成流片了3nm GAA芯片,迈出了要害一步。

在3nm节点,三星对照激进,直接选择了下一代工艺手艺――GAA围绕栅极晶体管,通过使用纳米片装备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该手艺可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管手艺。

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凭证三星的说法,与5nm制造工艺相比,3nm GAA手艺的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%。

三星早在2019年就宣布了3nm GAA工艺的PDK物理设计套件尺度,这次3nm芯片流片是跟Synopsys相助完成的,双方团结验证了该工艺的设计、生产流程,是3nm GAA工艺的里程碑。

不外三星、Synopsys并没有透露这次验证的3nm GAA芯片的详情,官方只说GAA架构改善了静电特征,提高了性能,降低了功耗。

3nm GAA工艺流片意味着该工艺量产又近了一步,不外最终的进度依然欠好说,三星最早说在2021年就能量产,厥后推迟到2022年,然则从现在的情形来看,明年台积电3nm工艺量产时,三星的3nm生怕还没准备好,依然要晚一些。

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